Image is for reference only , details as Specifications

SI4936BDY-T1-GE3

Производителей: Vishay / Siliconix
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: SI4936BDY-T1-GE3
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Vishay / Siliconix
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии TrenchFET®
Тип FET 2 N-Channel (Dual)
Упаковки Digi-Reel®
Функция FET Logic Level Gate
Статус части Active
Мощность - Макс 2.8W
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Номер базовой части SI4936
Vgs (th) (Max) 3V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 35mOhm @ 5.9A, 10V
Пакет устройств поставщика 8-SO
Заряд ворот (Кг) (Макс) 15nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 530pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 6.9A

На складе 2455 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

STS8DN6LF6AG
STMicroelectronics
$0
FCAB21490L1
Panasonic Electronic Components
$0
SQJ992EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
$0
SH8KA2GZETB
ROHM Semiconductor
$0
SP8K24FRATB
ROHM Semiconductor
$0