Image is for reference only , details as Specifications
SI4966DY-T1-GE3
| Производителей: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Лист данных: | SI4966DY-T1-GE3 |
| Описание: | MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC |
| Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производителя | Vishay / Siliconix |
| Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Серии | TrenchFET® |
| Тип FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Упаковки | Tape & Reel (TR) |
| Функция FET | Logic Level Gate |
| Статус части | Obsolete |
| Мощность - Макс | 2W |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет / Дело | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Номер базовой части | SI4966 |
| Vgs (th) (Max) | 1.5V @ 250µA |
| Операционная температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Макс) - Id, Vgs | 25mOhm @ 7.1A, 4.5V |
| Пакет устройств поставщика | 8-SO |
| Заряд ворот (Кг) (Макс) | 50nC @ 4.5V |
| Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 20V |
| Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | - |
| Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | - |
На складе 86 pcs
| Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1
Запрос Цитата
Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее
Bargain Finds
