SI4966DY-T1-GE3
Производителей: | Vishay / Siliconix |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Лист данных: | SI4966DY-T1-GE3 |
Описание: | MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | Vishay / Siliconix |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Серии | TrenchFET® |
Тип FET | 2 N-Channel (Dual) |
Упаковки | Tape & Reel (TR) |
Функция FET | Logic Level Gate |
Статус части | Obsolete |
Мощность - Макс | 2W |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет / Дело | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Номер базовой части | SI4966 |
Vgs (th) (Max) | 1.5V @ 250µA |
Операционная температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 25mOhm @ 7.1A, 4.5V |
Пакет устройств поставщика | 8-SO |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 50nC @ 4.5V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 20V |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | - |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | - |
На складе 86 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1