Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

SI4966DY-T1-GE3

Производителей: Vishay / Siliconix
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: SI4966DY-T1-GE3
Описание: MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Vishay / Siliconix
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии TrenchFET®
Тип FET 2 N-Channel (Dual)
Упаковки Tape & Reel (TR)
Функция FET Logic Level Gate
Статус части Obsolete
Мощность - Макс 2W
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Номер базовой части SI4966
Vgs (th) (Max) 1.5V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 25mOhm @ 7.1A, 4.5V
Пакет устройств поставщика 8-SO
Заряд ворот (Кг) (Макс) 50nC @ 4.5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 20V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds -
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию -

На складе 86 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

SI6943BDQ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SI6933DQ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SI6933DQ-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0
SI7909DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SI7909DN-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0