Image is for reference only , details as Specifications

SI5402BDC-T1-GE3

Производителей:	Vishay / Siliconix
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	SI5402BDC-T1-GE3
Описание:	MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Vishay / Siliconix
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	TrenchFET®
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Digi-Reel®
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Obsolete
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-SMD, Flat Lead
Vgs (th) (Max)	3V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	35mOhm @ 4.9A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	1.3W (Ta)
Пакет устройств поставщика	1206-8 ChipFET™
Заряд ворот (Кг) (Макс)	20nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	30V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	4.9A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	4.5V, 10V