Image is for reference only , details as Specifications

SI5511DC-T1-GE3

Производителей: Vishay / Siliconix
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: SI5511DC-T1-GE3
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Vishay / Siliconix
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии TrenchFET®
Тип FET N and P-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Функция FET Logic Level Gate
Статус части Obsolete
Мощность - Макс 3.1W, 2.6W
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 8-SMD, Flat Lead
Номер базовой части SI5511
Vgs (th) (Max) 2V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 55mOhm @ 4.8A, 4.5V
Пакет устройств поставщика 1206-8 ChipFET™
Заряд ворот (Кг) (Макс) 7.1nC @ 5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 435pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 4A, 3.6A

На складе 87 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

SI4992EY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SI4914BDY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SI4913DY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SI4910DY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SI4906DY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0