SI5511DC-T1-GE3
Производителей: | Vishay / Siliconix |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Лист данных: | SI5511DC-T1-GE3 |
Описание: | MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8 |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | Vishay / Siliconix |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Серии | TrenchFET® |
Тип FET | N and P-Channel |
Упаковки | Digi-Reel® |
Функция FET | Logic Level Gate |
Статус части | Obsolete |
Мощность - Макс | 3.1W, 2.6W |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет / Дело | 8-SMD, Flat Lead |
Номер базовой части | SI5511 |
Vgs (th) (Max) | 2V @ 250µA |
Операционная температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 55mOhm @ 4.8A, 4.5V |
Пакет устройств поставщика | 1206-8 ChipFET™ |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 7.1nC @ 5V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 30V |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 435pF @ 15V |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 4A, 3.6A |
На складе 87 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1