Image is for reference only , details as Specifications

SI5513CDC-T1-E3

Производителей:	Vishay / Siliconix
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных:	SI5513CDC-T1-E3
Описание:	MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Vishay / Siliconix
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии	TrenchFET®
Тип FET	N and P-Channel
Упаковки	Digi-Reel®
Функция FET	Logic Level Gate
Статус части	Active
Мощность - Макс	3.1W
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-SMD, Flat Lead
Vgs (th) (Max)	1.5V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	55mOhm @ 4.3A, 4.5V
Заряд ворот (Кг) (Макс)	4.2nC @ 5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	20V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	285pF @ 10V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	4A, 3.7A