Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

SI5513DC-T1-E3

Производителей: Vishay / Siliconix
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: SI5513DC-T1-E3
Описание: MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Vishay / Siliconix
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии TrenchFET®
Тип FET N and P-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Функция FET Logic Level Gate
Статус части Obsolete
Мощность - Макс 1.1W
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 8-SMD, Flat Lead
Номер базовой части SI5513
Vgs (th) (Max) 1.5V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Пакет устройств поставщика 1206-8 ChipFET™
Заряд ворот (Кг) (Макс) 6nC @ 4.5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 20V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds -
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 3.1A, 2.1A

На складе 80 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

SI5511DC-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0
SI5509DC-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0
SI5504DC-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0
SI4973DY-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0
SI4972DY-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0