SI5513DC-T1-E3
Производителей: | Vishay / Siliconix |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Лист данных: | SI5513DC-T1-E3 |
Описание: | MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8 |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | Vishay / Siliconix |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Серии | TrenchFET® |
Тип FET | N and P-Channel |
Упаковки | Digi-Reel® |
Функция FET | Logic Level Gate |
Статус части | Obsolete |
Мощность - Макс | 1.1W |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет / Дело | 8-SMD, Flat Lead |
Номер базовой части | SI5513 |
Vgs (th) (Max) | 1.5V @ 250µA |
Операционная температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 75mOhm @ 3.1A, 4.5V |
Пакет устройств поставщика | 1206-8 ChipFET™ |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 6nC @ 4.5V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 20V |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | - |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 3.1A, 2.1A |
На складе 80 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1