Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

SI5858DU-T1-GE3

Производителей:	Vishay / Siliconix
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	SI5858DU-T1-GE3
Описание:	MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Vishay / Siliconix
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	LITTLE FOOT®
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tape & Reel (TR)
Vgs (Макс)	±8V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	Schottky Diode (Isolated)
Статус части	Obsolete
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	PowerPAK® ChipFET™ Dual
Vgs (th) (Max)	1V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	39mOhm @ 4.4A, 4.5V
Рассеивание мощности (Макс)	2.3W (Ta), 8.3W (Tc)
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® ChipFet Dual
Заряд ворот (Кг) (Макс)	16nC @ 8V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	20V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	520pF @ 10V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	6A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	1.8V, 4.5V