Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

SI5913DC-T1-GE3

Производителей:	Vishay / Siliconix
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	SI5913DC-T1-GE3
Описание:	MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Vishay / Siliconix
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	LITTLE FOOT®
Тип FET	P-Channel
Упаковки	Digi-Reel®
Vgs (Макс)	±12V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	Schottky Diode (Isolated)
Статус части	Obsolete
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-SMD, Flat Lead
Vgs (th) (Max)	1.5V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	84mOhm @ 3.7A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	1.7W (Ta), 3.1W (Tc)
Пакет устройств поставщика	1206-8 ChipFET™
Заряд ворот (Кг) (Макс)	12nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	20V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	330pF @ 10V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	4A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	2.5V, 10V