SI7900AEDN-T1-E3
Производителей: | Vishay / Siliconix |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Лист данных: | SI7900AEDN-T1-E3 |
Описание: | MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8 |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | Vishay / Siliconix |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Серии | TrenchFET® |
Тип FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Упаковки | Cut Tape (CT) |
Функция FET | Logic Level Gate |
Статус части | Active |
Мощность - Макс | 1.5W |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет / Дело | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Номер базовой части | SI7900 |
Vgs (th) (Max) | 900mV @ 250µA |
Операционная температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 26mOhm @ 8.5A, 4.5V |
Пакет устройств поставщика | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 16nC @ 4.5V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 20V |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | - |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 6A |
На складе 92547 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$1.49 | $1.46 | $1.43 |
Минимальный: 1