Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

SI7900AEDN-T1-E3

Производителей: Vishay / Siliconix
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: SI7900AEDN-T1-E3
Описание: MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Vishay / Siliconix
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии TrenchFET®
Тип FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Упаковки Cut Tape (CT)
Функция FET Logic Level Gate
Статус части Active
Мощность - Макс 1.5W
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело PowerPAK® 1212-8 Dual
Номер базовой части SI7900
Vgs (th) (Max) 900mV @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 26mOhm @ 8.5A, 4.5V
Пакет устройств поставщика PowerPAK® 1212-8 Dual
Заряд ворот (Кг) (Макс) 16nC @ 4.5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 20V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds -
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 6A

На складе 92547 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.49 $1.46 $1.43
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

SI7922DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
IRFI4020H-117P
Infineon Technologies
$3.13
EM6M1T2R
ROHM Semiconductor
$0
DMG6898LSDQ-13
Diodes Incorporated
$0.33