Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов
SI7960DP-T1-GE3
| Производителей: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Лист данных: | SI7960DP-T1-GE3 |
| Описание: | MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8 |
| Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производителя | Vishay / Siliconix |
| Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Серии | TrenchFET® |
| Тип FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Упаковки | Digi-Reel® |
| Функция FET | Logic Level Gate |
| Статус части | Obsolete |
| Мощность - Макс | 1.4W |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет / Дело | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Номер базовой части | SI7960 |
| Vgs (th) (Max) | 3V @ 250µA |
| Операционная температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Макс) - Id, Vgs | 21mOhm @ 9.7A, 10V |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Заряд ворот (Кг) (Макс) | 75nC @ 10V |
| Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 60V |
| Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | - |
| Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 6.2A |
На складе 85 pcs
| Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1
Запрос Цитата
Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее
Bargain Finds
