Image is for reference only , details as Specifications

SI8469DB-T2-E1

Производителей: Vishay / Siliconix
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: SI8469DB-T2-E1
Описание: MOSFET P-CH 8V 3.6A MICRO
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Vishay / Siliconix
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии TrenchFET®
Тип FET P-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±5V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Obsolete
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 4-UFBGA
Vgs (th) (Max) 800mV @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 64mOhm @ 1.5A, 4.5V
Рассеивание мощности (Макс) 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Заряд ворот (Кг) (Макс) 17nC @ 4.5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 8V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 900pF @ 4V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 4.6A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 4.5V

На складе 95 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

SI7102DN-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0
SI4410BDY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SIR774DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SI4128BDY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
AUIRFN7107TR
Infineon Technologies
$0