SI8469DB-T2-E1
Производителей: | Vishay / Siliconix |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Лист данных: | SI8469DB-T2-E1 |
Описание: | MOSFET P-CH 8V 3.6A MICRO |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | Vishay / Siliconix |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Серии | TrenchFET® |
Тип FET | P-Channel |
Упаковки | Digi-Reel® |
Vgs (Макс) | ±5V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Функция FET | - |
Статус части | Obsolete |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет / Дело | 4-UFBGA |
Vgs (th) (Max) | 800mV @ 250µA |
Операционная температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 64mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Рассеивание мощности (Макс) | 780mW (Ta), 1.8W (Tc) |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 17nC @ 4.5V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 8V |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 900pF @ 4V |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 4.6A (Ta) |
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) | 4.5V |
На складе 95 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1