Image is for reference only , details as Specifications

SI8851EDB-T2-E1

Производителей:	Vishay / Siliconix
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	SI8851EDB-T2-E1
Описание:	MOSFET P-CH 20V 7.7A MICRO FOOT
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Vishay / Siliconix
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	TrenchFET®
Тип FET	P-Channel
Упаковки	Digi-Reel®
Vgs (Макс)	±8V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	30-XFBGA
Номер базовой части	SI8851
Vgs (th) (Max)	1V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	8mOhm @ 7A, 4.5V
Рассеивание мощности (Макс)	660mW (Ta)
Пакет устройств поставщика	Power Micro Foot® (2.4x2)
Заряд ворот (Кг) (Макс)	180nC @ 8V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	20V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	6900pF @ 10V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	7.7A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	1.8V, 4.5V