Image is for reference only , details as Specifications

SIA850DJ-T1-GE3

Производителей:	Vishay / Siliconix
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	SIA850DJ-T1-GE3
Описание:	MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Vishay / Siliconix
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	LITTLE FOOT®
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Cut Tape (CT)
Vgs (Макс)	±16V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	Schottky Diode (Isolated)
Статус части	Obsolete
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs (th) (Max)	1.4V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	3.8Ohm @ 360mA, 4.5V
Рассеивание мощности (Макс)	1.9W (Ta), 7W (Tc)
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Заряд ворот (Кг) (Макс)	4.5nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	190V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	90pF @ 100V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	950mA (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	1.8V, 4.5V