Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

SIA912DJ-T1-GE3

Производителей: Vishay / Siliconix
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: SIA912DJ-T1-GE3
Описание: MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Vishay / Siliconix
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии TrenchFET®
Тип FET 2 N-Channel (Dual)
Упаковки Cut Tape (CT)
Функция FET Logic Level Gate
Статус части Obsolete
Мощность - Макс 6.5W
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело PowerPAK® SC-70-6 Dual
Номер базовой части SIA912
Vgs (th) (Max) 1V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Пакет устройств поставщика PowerPAK® SC-70-6 Dual
Заряд ворот (Кг) (Макс) 11.5nC @ 8V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 12V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 400pF @ 6V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 4.5A

На складе 71 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

SIA911EDJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
TPC8208(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
IRF7750TRPBF
Infineon Technologies
$0
SI7842DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SI7540DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0