Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

SIB912DK-T1-GE3

Производителей: Vishay / Siliconix
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: SIB912DK-T1-GE3
Описание: MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Vishay / Siliconix
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии TrenchFET®
Тип FET 2 N-Channel (Dual)
Упаковки Digi-Reel®
Функция FET Logic Level Gate
Статус части Active
Мощность - Макс 3.1W
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело PowerPAK® SC-75-6L Dual
Номер базовой части SIB912
Vgs (th) (Max) 1V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 216mOhm @ 1.8A, 4.5V
Пакет устройств поставщика PowerPAK® SC-75-6L Dual
Заряд ворот (Кг) (Макс) 3nC @ 8V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 20V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 95pF @ 10V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 1.5A

На складе 2358 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

PMCXB1000UEZ
Nexperia USA Inc.
$0
AON7810
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$0
NTLUD3A260PZTBG
ON Semiconductor
$0
EM6J1T2R
ROHM Semiconductor
$0
TT8J13TCR
ROHM Semiconductor
$0