Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

SIDR392DP-T1-GE3

Производителей: Vishay / Siliconix
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: SIDR392DP-T1-GE3
Описание: MOSFET N-CHAN 30V
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Vishay / Siliconix
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии TrenchFET® Gen IV
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) +20V, -16V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело PowerPAK® SO-8
Vgs (th) (Max) 2.2V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 0.62mOhm @ 20A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Пакет устройств поставщика PowerPAK® SO-8DC
Заряд ворот (Кг) (Макс) 188nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 9530pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 82A (Ta), 100A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 4.5V, 10V

На складе 52 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

STL60N10F7
STMicroelectronics
$0
IAUA200N04S5N010AUMA1
Infineon Technologies
$2.8
SQM40041EL_GE3
Vishay / Siliconix
$2.53
NVMFS5C406NLT1G
ON Semiconductor
$0
STF8NM60ND
STMicroelectronics
$1.52