Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

SIDR610DP-T1-GE3

Производителей: Vishay / Siliconix
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: SIDR610DP-T1-GE3
Описание: MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Vishay / Siliconix
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии TrenchFET®
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело PowerPAK® SO-8
Vgs (th) (Max) 4V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 31.9mOhm @ 10A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Пакет устройств поставщика PowerPAK® SO-8DC
Заряд ворот (Кг) (Макс) 38nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 200V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 1380pF @ 100V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 7.5V, 10V

На складе 6050 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

NVMFS6H800NT1G
ON Semiconductor
$0
IRFU9120PBF
Vishay / Siliconix
$1.61
CSD18533KCS
NA
$1.61
STL25N15F3
STMicroelectronics
$0
IRLU024PBF
Vishay / Siliconix
$1.62