Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов
SIDR610DP-T1-GE3
| Производителей: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Лист данных: | SIDR610DP-T1-GE3 |
| Описание: | MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC |
| Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производителя | Vishay / Siliconix |
| Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Серии | TrenchFET® |
| Тип FET | N-Channel |
| Упаковки | Digi-Reel® |
| Vgs (Макс) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Функция FET | - |
| Статус части | Active |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет / Дело | PowerPAK® SO-8 |
| Vgs (th) (Max) | 4V @ 250µA |
| Операционная температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Макс) - Id, Vgs | 31.9mOhm @ 10A, 10V |
| Рассеивание мощности (Макс) | 6.25W (Ta), 125W (Tc) |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8DC |
| Заряд ворот (Кг) (Макс) | 38nC @ 10V |
| Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 200V |
| Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 1380pF @ 100V |
| Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 8.9A (Ta), 39.6A (Tc) |
| Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) | 7.5V, 10V |
На складе 6050 pcs
| Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1
Запрос Цитата
Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее
Bargain Finds
