Image is for reference only , details as Specifications

SIDR622DP-T1-GE3

Производителей: Vishay / Siliconix
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: SIDR622DP-T1-GE3
Описание: MOSFET N-CHAN 150V
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Vishay / Siliconix
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии TrenchFET®
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело PowerPAK® SO-8
Vgs (th) (Max) 4.5V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 17.7mOhm @ 20A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Пакет устройств поставщика PowerPAK® SO-8DC
Заряд ворот (Кг) (Макс) 41nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 150V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 1516pF @ 75V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 64.6A (Ta), 56.7A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 7.5V, 10V

На складе 87 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

NTMJS1D6N06CLTWG
ON Semiconductor
$0
NTMJS0D9N04CLTWG
ON Semiconductor
$0
STU2N62K3
STMicroelectronics
$1.32
R6009JNJGTL
ROHM Semiconductor
$0
FCMT199N60
ON Semiconductor
$0