Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

SIDR668DP-T1-GE3

Производителей:	Vishay / Siliconix
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	SIDR668DP-T1-GE3
Описание:	MOSFET N-CH 100V
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Vishay / Siliconix
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	TrenchFET® Gen IV
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Digi-Reel®
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	PowerPAK® SO-8
Vgs (th) (Max)	3.4V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	4.8mOhm @ 20A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	6.25W (Ta), 125W (Tc)
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® SO-8DC
Заряд ворот (Кг) (Макс)	108nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	100V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	5400pF @ 50V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	23.2A (Ta), 95A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	7.5V, 10V