SIE836DF-T1-GE3
Производителей: | Vishay / Siliconix |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Лист данных: | SIE836DF-T1-GE3 |
Описание: | MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | Vishay / Siliconix |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Серии | TrenchFET® |
Тип FET | N-Channel |
Упаковки | Digi-Reel® |
Vgs (Макс) | ±30V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Функция FET | - |
Статус части | Obsolete |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет / Дело | 10-PolarPAK® (SH) |
Vgs (th) (Max) | 4.5V @ 250µA |
Операционная температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 130mOhm @ 4.1A, 10V |
Рассеивание мощности (Макс) | 5.2W (Ta), 104W (Tc) |
Пакет устройств поставщика | 10-PolarPAK® (SH) |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 41nC @ 10V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 200V |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 1200pF @ 100V |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 18.3A (Tc) |
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) | 10V |
На складе 62 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1