Image is for reference only , details as Specifications

SIHB120N60E-GE3

Производителей:	Vishay / Siliconix
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	SIHB120N60E-GE3
Описание:	MOSFET N-CHAN 650V D2PAK (TO-263
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Vishay / Siliconix
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	E
Тип FET	N-Channel
Vgs (Макс)	±30V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max)	5V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	120mOhm @ 12A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	179W (Tc)
Пакет устройств поставщика	D²PAK (TO-263)
Заряд ворот (Кг) (Макс)	45nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	600V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	1562pF @ 100V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	25A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V