Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

SIHB33N60ET1-GE3

Производителей:	Vishay / Siliconix
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	SIHB33N60ET1-GE3
Описание:	MOSFET N-CH 600V 33A TO263
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Vishay / Siliconix
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	E
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tape & Reel (TR)
Vgs (Макс)	±30V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max)	4V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	99mOhm @ 16.5A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	278W (Tc)
Пакет устройств поставщика	TO-263 (D²Pak)
Заряд ворот (Кг) (Макс)	150nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	600V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	3508pF @ 100V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	33A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V