Image is for reference only , details as Specifications

SIHB35N60E-GE3

Производителей:	Vishay / Siliconix
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	SIHB35N60E-GE3
Описание:	MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Vishay / Siliconix
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	-
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tube
Vgs (Макс)	±30V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max)	4V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	94mOhm @ 17A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	250W (Tc)
Пакет устройств поставщика	D²PAK (TO-263)
Заряд ворот (Кг) (Макс)	132nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	650V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	2760pF @ 100V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	32A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V