Image is for reference only , details as Specifications

SIHD5N50D-GE3

Производителей:	Vishay / Siliconix
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	SIHD5N50D-GE3
Описание:	MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Vishay / Siliconix
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	-
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tube
Vgs (Макс)	±30V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max)	5V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	104W (Tc)
Пакет устройств поставщика	TO-252AA
Заряд ворот (Кг) (Макс)	20nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	500V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	325pF @ 100V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	5.3A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V