Image is for reference only , details as Specifications
SIHU4N80E-GE3
| Производителей: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Лист данных: | SIHU4N80E-GE3 |
| Описание: | MOSFET N-CHAN 800V TO-251 |
| Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производителя | Vishay / Siliconix |
| Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Серии | E |
| Тип FET | N-Channel |
| Упаковки | Tube |
| Vgs (Макс) | ±30V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Функция FET | - |
| Статус части | Active |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Пакет / Дело | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
| Vgs (th) (Max) | 4V @ 250µA |
| Операционная температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Макс) - Id, Vgs | 1.27Ohm @ 2A, 10V |
| Рассеивание мощности (Макс) | 69W (Tc) |
| Пакет устройств поставщика | IPAK (TO-251) |
| Заряд ворот (Кг) (Макс) | 32nC @ 10V |
| Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 800V |
| Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 622pF @ 100V |
| Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 4.3A (Tc) |
| Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) | 10V |
На складе 3000 pcs
| Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.86 | $1.82 | $1.79 |
Минимальный: 1
Запрос Цитата
Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее
Bargain Finds
