Image is for reference only , details as Specifications

SIR802DP-T1-GE3

Производителей: Vishay / Siliconix
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: SIR802DP-T1-GE3
Описание: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Vishay / Siliconix
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии TrenchFET®
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±12V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Obsolete
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело PowerPAK® SO-8
Vgs (th) (Max) 1.5V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 5mOhm @ 10A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 4.6W (Ta), 27.7W (Tc)
Пакет устройств поставщика PowerPAK® SO-8
Заряд ворот (Кг) (Макс) 32nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 20V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 1785pF @ 10V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 30A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 2.5V, 10V

На складе 36 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

IPA80R460CEXKSA2
Infineon Technologies
$1.39
IPB80N06S207ATMA4
Infineon Technologies
$1.39
BUK7905-40AI,127
Nexperia USA Inc.
$1.39
IPI47N10SL26AKSA1
Infineon Technologies
$1.39
IPI47N10S33AKSA1
Infineon Technologies
$1.39