Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

SIRA10BDP-T1-GE3

Производителей:	Vishay / Siliconix
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	SIRA10BDP-T1-GE3
Описание:	MOSFET N-CHAN 30V
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Vishay / Siliconix
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	TrenchFET® Gen IV
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Cut Tape (CT)
Vgs (Макс)	+20V, -16V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	PowerPAK® SO-8
Vgs (th) (Max)	2.4V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	3.6mOhm @ 10A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	5W (Ta), 43W (Tc)
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® SO-8
Заряд ворот (Кг) (Макс)	36.2nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	1710pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	30A (Ta), 60A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	4.5V, 10V