Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

SIRA16DP-T1-GE3

Производителей: Vishay / Siliconix
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: SIRA16DP-T1-GE3
Описание: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK SO-8
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Vishay / Siliconix
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии TrenchFET®
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) +20V, -16V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело PowerPAK® SO-8
Номер базовой части SIRA16
Vgs (th) (Max) 2.3V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 6.8mOhm @ 15A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) -
Пакет устройств поставщика PowerPAK® SO-8
Заряд ворот (Кг) (Макс) 47nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 2060pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 16A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 4.5V, 10V

На складе 6000 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

NTLUS3A18PZTBG
ON Semiconductor
$0.23
DMP2047UCB4-7
Diodes Incorporated
$0
NTLUS3A18PZTCG
ON Semiconductor
$0
ZXMN2A01E6TA
Diodes Incorporated
$0.65
DMN3009LFVW-7
Diodes Incorporated
$0