Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

SIS106DN-T1-GE3

Производителей: Vishay / Siliconix
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: SIS106DN-T1-GE3
Описание: MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK 1212-
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Vishay / Siliconix
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии TrenchFET® Gen IV
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело PowerPAK® 1212-8S
Vgs (th) (Max) 4V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 18.5mOhm @ 4A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Пакет устройств поставщика PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Заряд ворот (Кг) (Макс) 13.5nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 60V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 540pF @ 30V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 9.8A (Ta), 16A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 7.5V, 10V

На складе 5995 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

NVMFS4C05NWFT1G
ON Semiconductor
$0
SQS405EN-T1_GE3
Vishay / Siliconix
$0
SIJA58DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
IPN95R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
$0
IPD65R400CEAUMA1
Infineon Technologies
$0