Image is for reference only , details as Specifications
SIS606BDN-T1-GE3
| Производителей: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Лист данных: | SIS606BDN-T1-GE3 |
| Описание: | MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212 |
| Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производителя | Vishay / Siliconix |
| Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Серии | TrenchFET® Gen IV |
| Тип FET | N-Channel |
| Упаковки | Cut Tape (CT) |
| Vgs (Макс) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Функция FET | - |
| Статус части | Active |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет / Дело | PowerPAK® 1212-8 |
| Vgs (th) (Max) | 4V @ 250µA |
| Операционная температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Макс) - Id, Vgs | 17.4mOhm @ 10A, 10V |
| Рассеивание мощности (Макс) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® 1212-8 |
| Заряд ворот (Кг) (Макс) | 30nC @ 10V |
| Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 100V |
| Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 1470pF @ 50V |
| Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 9.4A (Ta), 35.3A (Tc) |
| Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) | 7.5V, 10V |
На складе 6000 pcs
| Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.46 | $1.43 | $1.40 |
Минимальный: 1
Запрос Цитата
Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее
Bargain Finds
