Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

SIS612EDNT-T1-GE3

Производителей:	Vishay / Siliconix
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	SIS612EDNT-T1-GE3
Описание:	MOSFET N-CH 20V 50A SMT
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Vishay / Siliconix
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	TrenchFET®
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Digi-Reel®
Vgs (Макс)	±12V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Obsolete
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	PowerPAK® 1212-8S
Vgs (th) (Max)	1.2V @ 1mA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	3.9mOhm @ 14A, 4.5V
Рассеивание мощности (Макс)	3.7W (Ta), 52W (Tc)
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Заряд ворот (Кг) (Макс)	70nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	20V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	2060pF @ 10V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	50A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	2.5V, 4.5V