Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

SIS903DN-T1-GE3

Производителей: Vishay / Siliconix
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: SIS903DN-T1-GE3
Описание: MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Vishay / Siliconix
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии TrenchFET® Gen III
Тип FET 2 P-Channel (Dual)
Упаковки Cut Tape (CT)
Функция FET Standard
Статус части Active
Мощность - Макс 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs (th) (Max) 1V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 20.1mOhm @ 5A, 4.5V
Пакет устройств поставщика PowerPAK® 1212-8 Dual
Заряд ворот (Кг) (Макс) 42nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 20V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 2565pF @ 10V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 6A (Tc)

На складе 59 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.96 $0.94 $0.92
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

SH8K51GZETB
ROHM Semiconductor
$0
SH8MA3TB1
ROHM Semiconductor
$0
FDS6986AS
ON Semiconductor
$0
DMC2041UFDB-7
Diodes Incorporated
$0
SH8K26GZ0TB
ROHM Semiconductor
$0