Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

SISA10DN-T1-GE3

Производителей: Vishay / Siliconix
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: SISA10DN-T1-GE3
Описание: MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Vishay / Siliconix
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии TrenchFET®
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) +20V, -16V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело PowerPAK® 1212-8
Vgs (th) (Max) 2.2V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 3.7mOhm @ 10A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Пакет устройств поставщика PowerPAK® 1212-8
Заряд ворот (Кг) (Макс) 51nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 2425pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 30A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 4.5V, 10V

На складе 3130 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

TSM60NB900CP ROG
Taiwan Semiconductor Corporation
$1.06
BUK7212-55B,118
Nexperia USA Inc.
$0
DMNH6012LK3Q-13
Diodes Incorporated
$0
IRF7488TRPBF
Infineon Technologies
$0.54
BUK7660-100A,118
Nexperia USA Inc.
$0