Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

SISF02DN-T1-GE3

Производителей:	Vishay / Siliconix
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных:	SISF02DN-T1-GE3
Описание:	MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Vishay / Siliconix
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии	TrenchFET® Gen IV
Тип FET	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Упаковки	Digi-Reel®
Функция FET	Standard
Статус части	Active
Мощность - Макс	5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	PowerPAK® 1212-8SCD
Vgs (th) (Max)	2.3V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	3.5mOhm @ 7A, 10V
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® 1212-8SCD
Заряд ворот (Кг) (Макс)	56nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	25V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	2650pF @ 10V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	30.5A (Ta), 60A (Tc)