SISF20DN-T1-GE3
Производителей: | Vishay / Siliconix |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Лист данных: | SISF20DN-T1-GE3 |
Описание: | MOSFET DL N-CH 60V PPK 1212-8SCD |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | Vishay / Siliconix |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Серии | TrenchFET® Gen IV |
Тип FET | 2 N-Channel (Dual) |
Упаковки | Cut Tape (CT) |
Функция FET | Standard |
Статус части | Active |
Мощность - Макс | 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет / Дело | PowerPAK® 1212-8SCD |
Vgs (th) (Max) | 3V @ 250µA |
Операционная температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 13mOhm @ 7A, 10V |
Пакет устройств поставщика | PowerPAK® 1212-8SCD |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 33nC @ 10V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 60V |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 1290pF @ 30V |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 14A (Ta), 52A (Tc) |
На складе 50 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$1.56 | $1.53 | $1.50 |
Минимальный: 1