Image is for reference only , details as Specifications

SISF20DN-T1-GE3

Производителей: Vishay / Siliconix
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: SISF20DN-T1-GE3
Описание: MOSFET DL N-CH 60V PPK 1212-8SCD
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Vishay / Siliconix
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии TrenchFET® Gen IV
Тип FET 2 N-Channel (Dual)
Упаковки Cut Tape (CT)
Функция FET Standard
Статус части Active
Мощность - Макс 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело PowerPAK® 1212-8SCD
Vgs (th) (Max) 3V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 13mOhm @ 7A, 10V
Пакет устройств поставщика PowerPAK® 1212-8SCD
Заряд ворот (Кг) (Макс) 33nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 60V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 1290pF @ 30V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 14A (Ta), 52A (Tc)

На складе 50 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.56 $1.53 $1.50
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

SQJ960EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
$1.94
SP8J5TB
ROHM Semiconductor
$2.66
BSZ15DC02KDHXTMA1
Infineon Technologies
$1.02
IRF7311TRPBF
Infineon Technologies
$0
FDG6320C
ON Semiconductor
$0