Image is for reference only , details as Specifications

SISH617DN-T1-GE3

Производителей: Vishay / Siliconix
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: SISH617DN-T1-GE3
Описание: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Vishay / Siliconix
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии TrenchFET®
Тип FET P-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±25V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело PowerPAK® 1212-8SH
Vgs (th) (Max) 2.5V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 12.3mOhm @ 13.9A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Пакет устройств поставщика PowerPAK® 1212-8SH
Заряд ворот (Кг) (Макс) 59nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 1800pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 13.9A (Ta), 35A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 4.5V, 10V

На складе 5705 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

STDV3055L104T4G
ON Semiconductor
$0
TSM130NB06LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
$0
TSM070NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
$0
NTTFS4985NFTAG
ON Semiconductor
$0
CMS45P03H8-HF
Comchip Technology
$0