Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

SISS30DN-T1-GE3

Производителей: Vishay / Siliconix
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: SISS30DN-T1-GE3
Описание: MOSFET N-CHAN 80-V POWERPAK 1212
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Vishay / Siliconix
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии TrenchFET® Gen IV
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело PowerPAK® 1212-8S
Vgs (th) (Max) 3.8V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 8.25mOhm @ 10A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Пакет устройств поставщика PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Заряд ворот (Кг) (Макс) 40nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 80V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 1666pF @ 10V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 15.9A (Ta), 54.7A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 7.5V, 10V

На складе 93 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

SISS06DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$1.12
SISS08DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
NVMYS5D3N04CTWG
ON Semiconductor
$0.45
AOD66920
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$1.16
IPD22N08S2L50ATMA1
Infineon Technologies
$0