Image is for reference only , details as Specifications

SIZ322DT-T1-GE3

Производителей:	Vishay / Siliconix
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных:	SIZ322DT-T1-GE3
Описание:	MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Vishay / Siliconix
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии	TrenchFET® Gen IV
Тип FET	2 N-Channel (Dual)
Упаковки	Digi-Reel®
Функция FET	Standard
Статус части	Active
Мощность - Макс	16.7W (Tc)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-PowerWDFN
Vgs (th) (Max)	2.4V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	6.35mOhm @ 15A, 10V
Пакет устройств поставщика	8-Power33 (3x3)
Заряд ворот (Кг) (Макс)	20.1nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	25V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	950pF @ 12.5V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	30A (Tc)