Image is for reference only , details as Specifications

SIZ900DT-T1-GE3

Производителей: Vishay / Siliconix
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: SIZ900DT-T1-GE3
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Vishay / Siliconix
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии TrenchFET®
Тип FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Упаковки Digi-Reel®
Функция FET Logic Level Gate
Статус части Obsolete
Мощность - Макс 48W, 100W
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 6-PowerPair™
Номер базовой части SIZ900
Vgs (th) (Max) 2.4V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 7.2mOhm @ 19.4A, 10V
Пакет устройств поставщика 6-PowerPair™
Заряд ворот (Кг) (Макс) 45nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 1830pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 24A, 28A

На складе 99 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

NVMFD5853NT1G
ON Semiconductor
$0
STS8C5H30L
STMicroelectronics
$0
SQ4949EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
$0
SI4539ADY-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0
NVMFD5853NLT1G
ON Semiconductor
$0