Image is for reference only , details as Specifications

SIZF906DT-T1-GE3

Производителей:	Vishay / Siliconix
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных:	SIZF906DT-T1-GE3
Описание:	MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Vishay / Siliconix
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии	TrenchFET® Gen IV
Тип FET	2 N-Channel (Dual)
Упаковки	Cut Tape (CT)
Функция FET	Standard
Статус части	Active
Мощность - Макс	38W (Tc), 83W (Tc)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-PowerWDFN
Vgs (th) (Max)	2.2V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TA)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Пакет устройств поставщика	8-PowerPair® (6x5)
Заряд ворот (Кг) (Макс)	22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	60A (Tc)