Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

SQM120P10_10M1LGE3

Производителей: Vishay / Siliconix
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: SQM120P10_10M1LGE3
Описание: MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Vishay / Siliconix
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Тип FET P-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) 2.5V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 10.1mOhm @ 30A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 375W (Tc)
Пакет устройств поставщика TO-263 (D²Pak)
Заряд ворот (Кг) (Макс) 190nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 100V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 9000pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 120A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 4.5V, 10V

На складе 548 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

SIE832DF-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SQM35N30-97_GE3
Vishay / Siliconix
$0
SI7174DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SI7192DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$3.11
FDB120N10
ON Semiconductor
$0