Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

SQS415ENW-T1_GE3

Производителей:	Vishay / Siliconix
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	SQS415ENW-T1_GE3
Описание:	MOSFET P-CH 40V PPAK 1212-8W
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Vishay / Siliconix
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Тип FET	P-Channel
Упаковки	Cut Tape (CT)
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	PowerPAK® 1212-8W
Vgs (th) (Max)	2.5V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	16.1mOhm @ 12A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	62.5W (Tc)
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® 1212-8W
Заряд ворот (Кг) (Макс)	82nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	40V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	4825pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	16A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	4.5V, 10V