SQS966ENW-T1_GE3
Производителей: | Vishay / Siliconix |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Лист данных: | SQS966ENW-T1_GE3 |
Описание: | MOSFET N-CHAN 60V |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | Vishay / Siliconix |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Серии | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Тип FET | 2 N-Channel (Dual) |
Упаковки | Tape & Reel (TR) |
Функция FET | Standard |
Статус части | Active |
Мощность - Макс | 27.8W (Tc) |
Тип монтажа | Surface Mount, Wettable Flank |
Пакет / Дело | PowerPAK® 1212-8W Dual |
Vgs (th) (Max) | 2.5V @ 250µA |
Операционная температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 36mOhm @ 1.25A, 10V |
Пакет устройств поставщика | PowerPAK® 1212-8W Dual |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 8.8nC @ 10V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 60V |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 572pF @ 25V |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 6A (Tc) |
На складе 66 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.34 | $0.33 | $0.33 |
Минимальный: 1