Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

SQS966ENW-T1_GE3

Производителей: Vishay / Siliconix
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: SQS966ENW-T1_GE3
Описание: MOSFET N-CHAN 60V
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Vishay / Siliconix
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Тип FET 2 N-Channel (Dual)
Упаковки Tape & Reel (TR)
Функция FET Standard
Статус части Active
Мощность - Макс 27.8W (Tc)
Тип монтажа Surface Mount, Wettable Flank
Пакет / Дело PowerPAK® 1212-8W Dual
Vgs (th) (Max) 2.5V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 36mOhm @ 1.25A, 10V
Пакет устройств поставщика PowerPAK® 1212-8W Dual
Заряд ворот (Кг) (Макс) 8.8nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 60V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 572pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 6A (Tc)

На складе 66 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.34 $0.33 $0.33
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

SQS944ENW-T1_GE3
Vishay / Siliconix
$0
SH8MA4TB1
ROHM Semiconductor
$1.04
NVMFD5C466NLT1G
ON Semiconductor
$0
BUK9K30-80EX
Nexperia USA Inc.
$0.48
SIR770DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0