Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

SQUN702E-T1_GE3

Производителей:	Vishay / Siliconix
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных:	SQUN702E-T1_GE3
Описание:	MOSFET N&P-CH COMMON DRAIN
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Vishay / Siliconix
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Тип FET	N and P-Channel, Common Drain
Упаковки	Digi-Reel®
Функция FET	Standard
Статус части	Active
Мощность - Макс	48W (Tc), 60W (Tc)
Тип монтажа	Surface Mount, Wettable Flank
Пакет / Дело	Die
Vgs (th) (Max)	2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	9.2mOhm @ 9.8A, 10V, 60mOhm @ 5A, 10V, 30mOhm @ 6A, 10V
Пакет устройств поставщика	Die
Заряд ворот (Кг) (Макс)	23nC, 14nC, 30.2nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	40V, 200V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	1474pF, 1450pF, 1302pF @ 20V, 100V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	30A (Tc), 20A (Tc)