Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

SUD20N10-66L-GE3

Производителей:	Vishay / Siliconix
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	SUD20N10-66L-GE3
Описание:	MOSFET N-CH 100V 16.9A TO-252
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Vishay / Siliconix
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	TrenchFET®
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Cut Tape (CT)
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max)	3V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	66mOhm @ 6.6A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Пакет устройств поставщика	TO-252
Заряд ворот (Кг) (Макс)	30nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	100V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	860pF @ 50V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	16.9A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	4.5V, 10V