Image is for reference only , details as Specifications

SUD35N10-26P-T4GE3

Производителей:	Vishay / Siliconix
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	SUD35N10-26P-T4GE3
Описание:	MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Vishay / Siliconix
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	TrenchFET®
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tape & Reel (TR)
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max)	4.4V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	26mOhm @ 12A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	8.3W (Ta), 83W (Tc)
Пакет устройств поставщика	TO-252, (D-Pak)
Заряд ворот (Кг) (Макс)	47nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	100V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	2000pF @ 12V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	35A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	7V, 10V