Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

DMJ70H1D3SI3

Производителей: Diodes Incorporated
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: DMJ70H1D3SI3
Описание: MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Diodes Incorporated
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии -
Тип FET N-Channel
Упаковки Tube
Vgs (Макс) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Obsolete
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело TO-251-3 Stub Leads, IPak
Vgs (th) (Max) 4V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 41W (Tc)
Пакет устройств поставщика TO-251
Заряд ворот (Кг) (Макс) 13.9nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 700V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 351pF @ 50V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 4.6A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 88 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

DMJ70H1D3SH3
Diodes Incorporated
$0
SPP20N60CFDHKSA1
Infineon Technologies
$0
SPP07N60C3HKSA1
Infineon Technologies
$0
IPP50R299CPHKSA1
Infineon Technologies
$0
IPP039N04LGHKSA1
Infineon Technologies
$0