Image is for reference only , details as Specifications

DMNH10H028SCT

Производителей:	Diodes Incorporated
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	DMNH10H028SCT
Описание:	MOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Diodes Incorporated
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	Automotive, AEC-Q101
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tube
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Through Hole
Пакет / Дело	TO-220-3
Vgs (th) (Max)	4V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	28mOhm @ 20A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	2.8W (Ta)
Пакет устройств поставщика	TO-220AB
Заряд ворот (Кг) (Макс)	31.9nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	100V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	1942pF @ 50V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	60A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V