Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

DMT69M8LSS-13

Производителей:	Diodes Incorporated
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	DMT69M8LSS-13
Описание:	MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Diodes Incorporated
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	-
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Digi-Reel®
Vgs (Макс)	±16V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Obsolete
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (Max)	2V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	12mOhm @ 13.5A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	1.25W (Ta)
Пакет устройств поставщика	8-SO
Заряд ворот (Кг) (Макс)	33.5nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	60V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	1925pF @ 30V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	9.8A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	4.5V, 10V