Image is for reference only , details as Specifications
EPC2101ENGRT
| Производителей: | EPC |
|---|---|
| Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Лист данных: | EPC2101ENGRT |
| Описание: | GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID |
| Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производителя | EPC |
| Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Серии | eGaN® |
| Тип FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Упаковки | Digi-Reel® |
| Функция FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Статус части | Active |
| Мощность - Макс | - |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет / Дело | Die |
| Vgs (th) (Max) | 2.5V @ 2mA |
| Операционная температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Макс) - Id, Vgs | 11.5mOhm @ 20A, 5V |
| Пакет устройств поставщика | Die |
| Заряд ворот (Кг) (Макс) | 2.7nC @ 5V |
| Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 60V |
| Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 300pF @ 30V |
| Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 9.5A, 38A |
На складе 4000 pcs
| Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1
Запрос Цитата
Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее
Bargain Finds
